發布時間：2023年02月08日 18時21分02秒

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　　壓力傳感器作為傳感器領域的一個重要組成部分，具有技術成熟，性能穩定，性價比相對較高等優點，已成為各類傳感器中技術最成熟、性能最穩定、且性價比最高的一類傳感器之一。1980年至今，傳感器的發展進入了一個史無前例的新型技術發展階段。隨著納米技術，微加工技術和微電子技術等新型技術逐步應用到傳感器上，壓力傳感器得到了進一步的發展。隨著科學技術和社會經濟的高速發展，對壓力傳感器的性能參數，工作環境等都提出了更高的標準。

　　壓力傳感器的發展是以半導體傳感器的發現為標志的，專家史密斯()通過利用半導體硅(Si)和鍺(Ge)作為媒介，并對其施以外力作用，結果發現此過程中媒介的電阻率顯而易見地出現了改變，以此制成第一個壓阻式壓力傳感器。根據這一原理，形式多樣的壓力傳感器被人們發明出來。高性能的壓力傳感器對帶動相關產業的發展，提升這一行業的整體科學技術水平和產品國際競爭力，都具有重大而又深遠的意義。

　　其次利用半導體材料制成的壓力傳感器具有更高的靈敏度和精確度。且半導體材料具有較強的過壓能力，良好的機械特性，強度高，遲滯小這是其它材料無法超越的優勢。

　　目前半導體壓力傳感器主要是基于Si材料，但Si材料溫度特性差，采用擴散工藝形成的電阻在較高溫度下特性會發生變化，造成非線性壓阻出現;用來隔離電阻和襯底的PN結的隔離度也會出現衰退，甚至發生穿通，導致器件徹底毀壞。

　　通常Si材料壓力傳感器只能工作于溫度低于120℃的環境下。為解決該類壓力傳感器的漂移問題，目前常用的方法是利用硬件電路、軟件補償算法等方式進行溫度補償與壓力補償，以提高壓力傳感器的整體性能。然而，由于擴散硅在高壓下結構失穩，這些解決方法只能夠在一定的時間范圍內有效。

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